igbt是什么型器件_igbt是什么型器件

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利,有效抑制负阻效应,提高...金融界2024年3月1日消息,据国家知识产权局公告,比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“逆导型IGBT功率器件及其制备的方法和电子设备“,公开号CN117637820A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明提出一种逆导型IGBT功率器件及其制备方法,逆导型IGBT功率器件包括...

粤电力A申请IGBT功率器件压接装配方法及装配专利,能够解决压接型...金融界2024年7月5日消息,天眼查知识产权信息显示,广东电力发展股份有限公司及广东珠海金湾发电有限公司申请一项名为“IGBT功率器件压接装配方法及装置“,公开号CN202410407870.4,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明适用于半导体技术领域,提供了一种IGBT功率器...

(=｀′=)

东微半导获得发明专利授权:“IGBT器件”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示东微半导(688261)新获得一项发明专利授权,专利名为“IGBT器件”,专利申请号为CN202111561080.4,授权日为2024年12月24日。专利摘要:本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种IGBT器件,n型半导体层内的若干个栅沟槽,位于栅沟...

海得控制:公司业务不涉及IGBT半导体行业原器件的研发与制造金融界2月20日消息,有投资者在互动平台向海得控制提问:亲爱的董秘,你好。请问海得控制研发或生产IGBT整流器吗?公司回答表示:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,涉及半导体行业多个领域。IG...

˙▽˙

华宝证券:SCR、IGBT等关键器件国产化率提升有望带动制氢电源成本...华宝证券发布研报指出,我国入局制氢电源的公司主要来自传统能源、新能源、电力设备等行业,同时,氢能头部企业也在谋求强强联合,共同突破制氢电源研发的“卡脖子”问题。展望未来,SCR、IGBT等关键器件国产化率的提升有望带动制氢电源成本的进一步下降,从而吸引更多制氢设备...

华润微:二季度部分MOSFET、IGBT等功率器件产品有价格调涨金融界7月5日消息,有投资者在互动平台向华润微提问:公司哪方面产品开始涨价?公司回答表示:公司二季度部分MOSFET、IGBT等功率器件产品有价格调涨动作。本文源自金融界AI电报

ˇ△ˇ

众合科技:半导体产品应用于MOSFET、IGBT等功率器件制造,终端应用...主要产品和服务应用于半导体分立器件、集成电路领域,其中抛光片作为外延衬底片经外延加工后主要用于MOSFET、IGBT、双极性晶体管、FRD、SBD等功率器件、TVS保护器件、CCD、CMOS 图像传感器等光电器件、MEMS器件、功率IC等半导体产品制造,研磨片主要应用于过压...

北一半导体申请一种 IGBT 器件及其制作方法专利,大幅提升器件开关速度金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专利,公开号 CN 118983335 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明提供了一种 IGBT 器件及其制作方法,涉及半导体芯片制造技术领域...

(=｀′=)

╯△╰ 成都高投芯未申请一种IGBT器件制备方法及半导体器件专利,改善半...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN 118983218 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制备工艺。...

深圳市冠禹半导体取得一种IGBT器件及其制造方法专利金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市冠禹半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT器件及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118712218 B,申请日期为2024年8月。