哪个国家存款为负_哪个国家存款为负

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∩＾∩ 同有科技:专注于企业级存储领域,为多个行业用户提供高效、稳定、...金融界4月1日消息,有投资者在互动平台向同有科技提问:掌握了算力就掌握了未来的生产力,公司业务是否能为国家算力建设提供有力的服务?公司回答表示:存储是大数据的载体,同有科技专注于企业级存储领域,主要从事企业级存储系统和军工及工业级固态存储的研究、开发和应用,为多...

╯▂╰ 长鑫存储取得半导体存储器专利,减小了存储器芯片的功耗金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体存储器“,授权公告号CN113470710B,申请日期为2020年3月。专利摘要显示,一种半导体存储器,包括:存储器芯片,所述存储器芯片中至少包括存储阵列;电压调节单元,所述电压调节单元用于...

长鑫存储取得光掩膜板及其形成方法专利,提高光刻工艺的生产加工良率金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“光掩膜板及其形成方法“,授权公告号CN112925164B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示,该发明涉及一种光掩膜板及其形成方法,能够改善使用光掩膜板进行光刻时,转印的图形边界模糊、不...

长鑫存储取得半导体器件专利,使得半导体器件即使整体面积减小了,也...金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件“,授权公告号CN113497027B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件,包括:第一导电类型的掺杂阱区;M个半导体单元,M个半导体单元位于第一导电类型的...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“读写方法及存储器装置“,授权公告号CN113495670B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示,本发明提供一种读写方法及存储器装置,所述读写方法为,对存储器装置施加读命令,所述读命令指向地址...

长鑫存储取得半导体装置专利,提高存储芯片的稳定性金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利,授权公告号CN113870916B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体装置,其包括存储芯片及温度检测单元,所述温度检测单元用于检测所述存储芯片的温...

长鑫存储取得存储系统专利,提升数据传输速度,提高存储系统的性能金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储系统“,授权公告号CN114067860B,申请日期为2020年8月。专利摘要显示,本发明提供一种存储系统,其包括多个存储芯片,每一所述存储芯片包括数据输出单元,所述数据输出单元共用电源及接...

长鑫存储取得控制电路和延时电路专利,该电路能使控制单元的电流随...金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“控制电路和延时电路“的专利,授权公告号CN114545807B,申请日期为2020年11月。专利摘要显示,本申请提供一种控制电路和延时电路。该电路包括:控制单元、第一反馈单元和第二反馈单元,第...

(ˉ▽ˉ；) 长鑫存储申请存储器和存储系统专利,实现存储器的高效控制和存储金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器和存储系统“,公开号CN117794229A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种存储器和存储系统,所述存储器包括:衬底;位于所述衬底内的控制电路层;所述控制电路层...

长鑫存储申请输出驱动电路及存储器专利,保证输出数据准确性的同时,...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“输出驱动电路及存储器“,公开号CN117789786A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种输出驱动电路及存储器,输出驱动电路包括:判断模块,被配置...